三星电子3纳米制程技术已正式流片三星电子日前宣布,3纳米制程技术已经正式流片,据悉,三星电子的3纳米制程采用的是环绕式栅极,gate,all,around,GAA,晶体管架构,性能优于台积电的3纳米鳍式场效应晶体管,FinFET,架构,三星电子表示,因为GAA架构需要一套不同于台积电和英特尔使用的FinFET架构的设计和鉴定工具,该公...。
更新时间:2024-12-03 22:22:39
极兔速递
知识网站导航大全
沃下载
笛升云官网
绚丽科技
四川电加工设备厂家
上海海洲微型电机制造有限公司
券妈妈优惠券:京东优惠券,唯品会优惠券,拼多多优惠券,饿了么优惠券,美团外卖优惠券免费领取
图片直播
北辰亿科科技
上海物流公司电话
天天开单APP